Module NXH160T120L2Q2F2S1G onsemi onduleur triphasé split T-type NPC

Module de puissance IGBT onsemi NXH160T120L2Q2F2S1G

Le module de puissance NXH160T120L2Q2F2S1G intègre un onduleur triphasé à trois niveaux de type Split T-type Neutral Point Clamped (NPC). Ce composant est conçu spécifiquement pour la conversion d'énergie à haute efficacité. Il combine des transistors IGBT de 1200 V et 650 V pour optimiser la commutation électrique dans les infrastructures énergétiques modernes.

Caractéristiques techniques et architecture

Ce module intègre une configuration électronique avancée pour répondre aux exigences industrielles strictes :

• Deux transistors IGBT de 1200 V / 160 A configurés en demi-pont avec diodes inverses.
• Deux redresseurs de point neutre de 120 A / 650 V pour stabiliser la tension intermédiaire.
• Deux IGBT de point neutre de 100 A / 650 V assurant une commutation fluide.
• Une thermistance à coefficient de température négatif (NTC) pour le suivi thermique direct.

Spécifications thermiques et mécaniques

Applications cibles

Le module convient parfaitement pour la fabrication et la maintenance des onduleurs solaires photovoltaïques commerciaux ainsi que pour les systèmes d'alimentation sans coupure (ASI / UPS) exigeant une densité de puissance élevée.