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Modules 2MBI150VB120 2MBI200VB-120-50 IGBT pour onduleur triphasé

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Performance et Commutation Énergétique Haute Puissance

Le module de puissance semi-conducteur répond aux exigences strictes de la conversion électrique industrielle moderne. Développé pour structurer les ponts d'onduleurs, ce composant électronique intègre deux transistors bipolaires à grille isolée dans un seul boîtier hermétique compact. Cette architecture en pont double permet une gestion fluide et optimisée de l'alimentation des moteurs industriels et des systèmes de distribution électrique à haut rendement.

Spécifications Techniques et Variantes Disponibles

La série se décline en plusieurs configurations électriques et géométriques adaptées à vos installations :

Référence ProduitTension Maximale (V)Courant Collecteur (A)Type de Boîtier
2MBI150VB120-120-501200V150AM274 Compact
2MBI200VB-120-501200V200AM274 Standard
2MBI200U4B-120-501200V200AU4 Haute Densité
2MBI300U2B-060-50600V300AU2 Faible Perte
2MBI400U2B-060-50600V400AU2 Standard Heavy

Grâce à une tension de saturation collecteur-émetteur optimisée, les pertes en conduction sont réduites au minimum, limitant ainsi la dissipation thermique interne au sein de vos armoires électriques.

Avantages Applicatifs et Confort de Maintenance

L'installation de ces modules sur des plaques de refroidissement en aluminium offre une dissipation thermique optimale. Pour les techniciens de maintenance et les ingénieurs d'essais, l'implémentation de la géométrie normalisée de ces modules garantit un remplacement direct sans modification structurelle des barres de cuivre de distribution. L'intégration de diodes de conduction inverse rapides protège efficacement chaque transistor contre les surtensions inductives induites par les charges motrices lourdes.

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